shallow trench isolation中文
淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化矽掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕矽後形成槽,並 ...,,淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成...
何謂STI? - WU MIN SHIN
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2014年12月19日—STI=ShallowTrenchIsolation.顧名思義就是在CMOS上挖一條溝渠來做隔離,那是隔離什麼呢?因為在CMOS上會有P+與N+結合起來的depletion ...
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